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技術(shù)文章

DDR5中I3C的協(xié)議測(cè)試

Serial Presence Detect (SPD) is a standardized method to automatcally access the informaton about DDR3/4/5 memory modules. When a electronic system us powered on, it starts doing automatcally confg...

LPDDR5 主要功能

與 LPDDR4/4X DRAM 相比,LPDDR5 DRAM 支持高達(dá) 6400 Mbps 的數(shù)據(jù)速率和在更低的工作電壓(VDD 的 1.05/0.9V 和 I/O 的 0.5/0.35V)下支持更大的設(shè)備尺寸(每個(gè)通道 2Gb 至 32Gb)。表 1 顯示了 LPDDR5 和 LPDDR4 DRAM 之間的比較: ? LPDDR5 DRAM LPDDR4 DRAM ...

LPDDR5內(nèi)存詳解

LPDDR5是什么? LPDDR全稱Low Power Double Data Rate,是美國(guó)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)面向低功耗內(nèi)存而制定的通信標(biāo)準(zhǔn),以低功耗和小體積著稱,專門用于移動(dòng)式電子產(chǎn)品。簡(jiǎn)稱“低功耗內(nèi)存”。而LPDDR5就是最新的標(biāo)準(zhǔn)。 JEDEC(固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì))把LPDDR5 標(biāo)準(zhǔn)叫做JESD209-5。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了LPDDR5將以6400MT/s的速率運(yùn)行,是LPDDR4的兩...

DDR5內(nèi)存規(guī)范和關(guān)鍵特性

內(nèi)存技術(shù)也經(jīng)歷著不斷更新迭代,如今,雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM 或直接稱為 DRAM)技術(shù),已成為幾乎所有從高性能企業(yè)數(shù)據(jù)中心到注重功耗/面積的移動(dòng)應(yīng)用中的普遍的存儲(chǔ)器。這一切都要?dú)w功于DDR 的高密度特性,其采用了電容器作為存儲(chǔ)元件的簡(jiǎn)單架構(gòu)具有高性能、低延遲、高訪問壽命以及低功耗等特點(diǎn)。 內(nèi)存接口芯片是內(nèi)存模組(又稱內(nèi)存條)的核心器件。作為服務(wù)器CPU 存...

DDR4 測(cè)試的新挑戰(zhàn) 引論

DDR4 在一些服務(wù)器和工作站上已經(jīng)開始使用,DDR4 和前代的 DDR3 相比, 它的速度大幅提升,最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號(hào),對(duì)信號(hào)完整性的要求就更加嚴(yán)格,JESD79‐4 規(guī)范也對(duì) DDR4 信號(hào)的測(cè)量提出了新的要求, 本文就要討論一下 DDR4 測(cè)試面臨的新挑戰(zhàn)。 DDR4新的特性 DDR4 相比 DDR3,有很多新的變化,首先它的帶寬提高了近一倍,最高達(dá)到 ...

以邏輯分析儀進(jìn)行串列快閃記憶體(Serial/SPI Flash)量測(cè)方案

Serial Flash 量測(cè)問題 在許多的電子產(chǎn)品中都有使用 Serial Flash的需求,它有較簡(jiǎn)單的控制程序與電路以及可靠的儲(chǔ)存能力,使它倍受青睞。因此,常被用于電子產(chǎn)品里放置較關(guān)鍵的開機(jī)程序(Boot code)或系統(tǒng)設(shè)定資料(System setting)。每當(dāng)系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí),Serial Flash 就會(huì)忙碌起來(lái),盡快的把儲(chǔ)存在里面的程序或資料載入系統(tǒng)內(nèi)。但越來(lái)越復(fù)雜的命令組合以...

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